ABSORCIÓN DE DOS FOTONES EN POZOS CUÁNTICOS FORMADOS CON GaAs DOPADO CON ALUMINIO.
ABSORCIÓN DE DOS FOTONES EN POZOS CUÁNTICOS FORMADOS CON GaAs DOPADO CON ALUMINIO.
Barra lateral del artículo
Términos de la licencia (VER)
Declaración del copyright
Los autores ceden en exclusiva a la Universidad EIA, con facultad de cesión a terceros, todos los derechos de explotación que deriven de los trabajos que sean aceptados para su publicación en la Revista EIA, así como en cualquier producto derivados de la misma y, en particular, los de reproducción, distribución, comunicación pública (incluida la puesta a disposición interactiva) y transformación (incluidas la adaptación, la modificación y, en su caso, la traducción), para todas las modalidades de explotación (a título enunciativo y no limitativo: en formato papel, electrónico, on-line, soporte informático o audiovisual, así como en cualquier otro formato, incluso con finalidad promocional o publicitaria y/o para la realización de productos derivados), para un ámbito territorial mundial y para toda la duración legal de los derechos prevista en el vigente texto difundido de la Ley de Propiedad Intelectual. Esta cesión la realizarán los autores sin derecho a ningún tipo de remuneración o indemnización.
La autorización conferida a la Revista EIA estará vigente a partir de la fecha en que se incluye en el volumen y número respectivo en el Sistema Open Journal Systems de la Revista EIA, así como en las diferentes bases e índices de datos en que se encuentra indexada la publicación.
Todos los contenidos de la Revista EIA, están publicados bajo la Licencia Creative Commons Atribución-NoComercial-NoDerivativa 4.0 Internacional
Licencia
Esta obra está bajo una Licencia Creative Commons Atribución-NoComercial-NoDerivativa 4.0 Internacional
Contenido principal del artículo
Resumen
En este trabajo mostramos como la absorción de dos fotones es modificada debido a la fracción molar de aluminio dopante presente en los pozos cuánticos formados con arseniuro de galio. Se realizó el estudio teniendo en cuenta el índice de refracción que depende de la fracción molar de aluminio dopante y de la longitud de onda de la luz que incide sobre los pozos. Los resultados sugieren como manipular los parámetros de diseño para mejora el desempeño de un dispositivo foto-detector idóneo para longitudes de onda de 1.310 nm y 1.550 nm.
Descargas
Detalles del artículo
Referencias (VER)
Adachi, S. (1985). GaAs, AlAs, and AlxGa1-xAs@B: Material parameters for use in research and device applications. J. Appl. Phys 58, pp. R1-R29.
Chuang, S. L. (2009). “Refractive Index of AlGaAs System”. En: Physics of Photonic Devices. Segunda edición. New Jersey, Ed Wiley Series in Pure and Applied Optics, 2009. pp. 264-265.
Colace, L; Masini, G; Altieri, A; Assanto, G. (2006). Waveguide photodetectors for the near-infrared in polycrystalline germanium on silicon. IEEE Photon. Technol. Lett 18 (9), pp. 1094–1096.
Fishman, D. A; Cirloganu, C. M; Webster, S; Padilha, L. A; Monroe, M; Hagan, D. J; Van Stryland, E. W. (2011) Sensitive Mid-Infrared Detection in Wide-Bandgap Semiconductors Using Extreme Non-Degenerate Two Photon Absortion. Nat Photonics 5, pp. 561-565.
Ren, S; Rong, Y; Claussen, S.A; Schaevitz, R.K; Kamins, T.I; Harris, J.S; Miller, D. A. B. (2011). Thin dielectric spacer for the monolithic integratioun of bulk germanium or germanium quantum wells with silicon-on-insulator waveguides. IEEE Photon. J 3 (4), pp. 739-747.
Pattanaik, H. S; Reichert, M; Khurgin, J. B; Hagan, D. J; Van Stryland, E. W. (2016). Enhancement of Two-Photon Absortion in Quantum Wells for Extremely Nondegenerate Photon Pairs. IEEE J Quantum Elect 52.
Villeneuve, A; Kang, J. U; Aitchison, J. S; Stegeman, G. I. (1995). Unity ratio of cross to selfphase modulation in bulk AlGaAs and AlGaAs/GaAs multiple quantum well waveguides at half the band gap. App. Phy. Lett 67, pp. 760-762.
Wagner, S. J; Meier, J; Helmy, A. S; Aitchison, J. S; Sorel, M; Hutchings, D. C. (2007) Polarization-dependent nonlinear refraction and two-photon absorption in GaAs/AlAs superlattice waveguides below the half-bandgap, J. Opt. Soc. Am. B 24, pp. 1557-1563.
Xia, C; Spector, H.N. (2009). Nonlinear Franz–Keldysh effect: Two photon absorption in semiconducting quantum wires and quantum boxes. Journal of Applied Physics 106(124302), pp. 1-6.
Artículos similares
- John Alexander Gil Corrales, Alvaro Luis Morales Aramburo, Carlos Alberto Duque Echeverri, Estados electrónicos de puntos cuánticos piramidales y cónicos , Revista EIA: Vol. 15 Núm. 30 (2018)
También puede {advancedSearchLink} para este artículo.